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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示

坩堝下降法（vb）長(zhǎng)晶爐

關(guān)鍵詞：

產(chǎn)品 新聞 下載

垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）

適用領(lǐng)域： ?單晶生長(zhǎng) Relevant Industries:Single Crystal Growth 適用材料: ?Ga2O3、GaAs、InP等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc. 晶圓尺寸: ?12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch

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